利用热氧化 Si 衬底上的 [001] 取向 Ag 缓冲层生长 [001] 取向多晶 Heusler 合金薄膜以用于自旋电子学应用
材料科学
2024-05-16 v1
摘要
为了将半金属 Heusler 合金应用于实际的自旋电子学器件（如磁传感器和磁存储器），关键在于实现高度织构且结构有序的多晶薄膜。在本研究中，我们在热氧化 Si 衬底上制备了沉积在 [001] 取向 Ag 缓冲层上的多晶 Co2FeGa0.5Ge0.5 (CFGG) Heusler 合金薄膜，该缓冲层是通过在溅射过程中向 Ar 中引入 N2 实现的。我们获得了具有 B2 有序结构且饱和磁化强度接近理论值的强 [001] 取向 CFGG 薄膜，这可以在具有工业可行性的自旋电子学器件中提供高自旋极化的电流和自旋流源。
关键词
引用
@article{arxiv.2405.08994,
title = {Growth of [001]-oriented polycrystalline Heusler alloy thin films using [001]-textured Ag buffer layer on thermally oxidized Si substrate for spintronics applications},
author = {Dolly Taparia and Taisuke T. Sasaki and Tomoya Nakatani and Hirofumi Suto and Seiji Mitani and Yuya Sakuraba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.08994},
year = {2024}
}
备注
16 papers, 5 figures