RF溅射Co₂MnGa薄膜的多晶形态与反常霍尔效应
材料科学
2025-03-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
Heusler化合物Co₂MnGa是一种具有引人注目的电子和磁学性质的拓扑半金属，是自旋电子学应用的有前景候选材料。本研究系统地考察了衬底温度和RF溅射功率对Co₂MnGa薄膜结构、形态和反常霍尔效应(AHE)的影响。通过X射线衍射线分析，我们识别了薄膜取向和结晶度的变化，揭示了特定生长条件下高指数织构的出现。原子力显微镜成像提供了晶粒形态和尺寸分布的信息，表明沉积参数与薄膜织构之间存在相关性。霍尔输运测量证实了AHE对生长条件的强依赖性，表现出与RF功率和温度的非单调关系。尽管微观结构存在显著变化，但在AHE与霍尔电阻率零场斜率之间观察到了显著的线性关系，暗示了潜在的普适机制。这些发现为研究CMG薄膜条件与输运之间的复杂相互作用以用于下一代磁性和电子器件奠定了基础。
引用
@article{arxiv.2503.02821,
title = {Polycrystalline Morphology and Anomalous Hall Effect in RF-Sputtered Co2MnGa Films},
author = {Carter E. Wade and Sunny Phan and Katherine Coffin and Gabe Paynter and Ty J. Cawein and Kurt G. Eyink and Andrei Kogan and Joseph P. Corbett},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.02821},
year = {2025}
}