具有可控轨道双通道Kondo效应的L10-MnAl薄膜中的反常霍尔效应
强关联电子
2016-05-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
尽管历史悠久，强无序磁性系统中的反常霍尔效应（AHE）仍长期处于困惑之中。我们报道了在垂直磁化的L10-MnAl外延薄膜中的AHE，该薄膜具有可变的轨道双通道Kondo（2CK）效应，其源于传导电子与两能级体系结构无序的强耦合。在高温声子散射占主导的区域，观察到AHE极好地满足标度关系 pAH/f=a0pxx0+bpxx2。相反，在轨道2CK效应变得重要的低温下出现显著偏离，表明存在负的AHE贡献。该标度偏离在击穿温度和偏离幅度上与轨道2CK效应相符。
引用
@article{arxiv.1601.07943,
title = {Anomalous Hall effect in L10-MnAl films with controllable orbital two-channel Kondo effect},
author = {L. J. Zhu and S. H. Nie and J. H. Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.07943},
year = {2016}
}