磁性拓扑绝缘体中的反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2019-07-24 v1 材料科学
摘要
本文研究了 3D 磁性拓扑绝缘体表面上的反常霍尔效应 (AHE)。通过应用修正的半经典框架，系统处理了 AHE 的所有三项贡献：内禀 Berry 相位曲率效应、侧跃效应和斜散射效应，并获得了以费米能级、表面磁化的空间取向以及磁性和非磁性杂质浓度为变量的电导率解析表达式。我们证明，通过改变表面磁化的取向、杂质浓度以及化学势的位置，AHE 可以改变符号，这与近期的实验观测相符。因此，通过适当调整给定参数，AHE 的每项贡献甚至整个 AHE 都可以被关闭。例如，在具有面内磁化的系统中，通过将系统推入完全金属区，可以关闭反常霍尔电导率。
引用
@article{arxiv.1806.02245,
title = {The Anomalous Hall Effect in Magnetic Topological Insulators},
author = {Amir Sabzalipour and Bart Partoens},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.02245},
year = {2019}
}