磁性拓扑半金属Co$_3$Sn$_{2-x}$In$_x$S$_2$中增强的反常Hall效应
材料科学
2020-07-29 v1
摘要
我们研究了单晶CoSnInS在铟浓度x从0到1大范围内的反常Hall效应（AHE）。其磁化强度随x增大而逐渐减小，而其基态从铁磁Weyl半金属演化为非磁性绝缘体。值得注意的是，在系统标度AHE后，我们发现其本征反常Hall电导（AHC）在x≈0.15附近出现意外的最大值。本征AHC的变化与Berry曲率的掺杂演化相对应，且该最大值源于磁性拓扑节环能隙。我们的实验结果显示，基本节环能隙中的AHC大于Weyl节点处的AHC。
引用
@article{arxiv.2003.02412,
title = {Enhanced Anomalous Hall Effect in Magnetic Topological Semimetal Co$_3$Sn$_{2-x}$In$_x$S$_2$},
author = {Huibin Zhou and Guoqing Chang and Guangqiang Wang and Xin Gui and Xitong Xu and Jia-Xin Yin and Zurab Guguchia and Songtian S. Zhang and Tay-Rong Chang and Hsin Lin and Weiwei Xie and M. Zahid Hasan and Shuang Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.02412},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures + Supplementary Information