通过调控费米能级在简单外尔半金属薄膜中最大化本征反常霍尔效应
强关联电子
2024-01-17 v1 材料科学
摘要
源于贝里曲率的大本征反常霍尔效应（AHE）因潜在应用而日益受到关注。近期提出的磁性外尔半金属 EuCdSb 为调控本征AHE提供了优异平台，因为其在费米能附近仅具有与外尔点相关的能带结构。在此我们报道了 EuCdSb 单晶薄膜的制备，并通过薄膜技术调控其反常霍尔效应。正如基于能量依赖本征反常霍尔电导率的第一性原理计算所分析，所获得的反常霍尔效应随载流子密度表现出尖锐峰值，展示了本征AHE清晰的能量依赖性。
引用
@article{arxiv.2204.06880,
title = {Maximizing intrinsic anomalous Hall effect by controlling the Fermi level in simple Weyl semimetal films},
author = {Mizuki Ohno and Susumu Minami and Yusuke Nakazawa and Shin Sato and Markus Kriener and Ryotaro Arita and Masashi Kawasaki and Masaki Uchida},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.06880},
year = {2024}
}
备注
13 pages, 4 figures