半金属 Heusler 化合物 Co$_{2}$Ti$X$ ($X$=Si, Ge) 中的反常霍尔效应
材料科学
2020-09-02 v1
摘要
尽管 Weyl 费米子近来已在几种破缺反演对称性的材料中被观测到，但具有破缺时间反演对称性的此类体系寥寥无几。各类基于 Co 的半金属铁磁 Heusler 化合物近来被预测在其能带结构中承载 Weyl 型激发。这些破缺时间反演对称性的磁性 Heusler 化合物预期展现出很大的动量空间 Berry 曲率，从而引入若干奇异的磁输运性质。在本报告中，我们呈现对 CoTi (=Si 和 Ge) 中反常霍尔效应（AHE）实验结果的系统分析。本研究试图理解 Berry 曲率在 CoTi 族材料 AHE 中的作用。对于两种化合物，均观察到反常霍尔电阻率随纵向电阻率呈二次方标度关系。详细分析表明，在反常霍尔电导率中，内禀的 Karplus-Luttinger Berry 相机制主导于外禀的斜散射与旁跳机制。
引用
@article{arxiv.2008.04837,
title = {Anomalous Hall effect in half-metallic Heusler compound Co$_{2}$Ti$X$ ($X$=Si, Ge)},
author = {Shubhankar Roy and Ratnadwip Singha and Arup Ghosh and Arnab Pariari and Prabhat Mandal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.04837},
year = {2020}
}