Zintl 化合物 EuA2Sb2 (A = Zn, Cd) 薄膜面内反常霍尔响应的显著差异
材料科学
2025-06-10 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
近期在磁性 Weyl 半金属 EuCd2Sb2 中观测到的面内反常霍尔效应，引起了人们对由面内磁场分量引起的面外轨道磁化的关注。在此，我们研究 EuCd2Sb2 的同族化合物 EuZn2Sb2，以展示面内反常霍尔效应对能带调制的敏感变化。在 EuZn2Sb2 薄膜的 (001) 主平面内旋转磁场测得的霍尔电阻率表现出清晰的三重分量，对应于面内反常霍尔效应，这与平面霍尔效应的二重分量截然不同。EuZn2Sb2 的面内反常霍尔效应与 EuCd2Sb2 形成鲜明对比，尤其是在符号相反和场依赖性方面，这可以通过具有不同能带反转参数的模型计算来解释。我们的结果为通过精细的能带工程系统控制面内反常霍尔效应和轨道磁化铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2503.11087,
title = {Stark difference in the in-plane anomalous Hall response in Zintl compounds EuA2Sb2 (A = Zn, Cd) thin films},
author = {Hsiang Lee and Shinichi Nishihaya and Markus Kriener and Jun Fujioka and Ayano Nakamura and Yuto Watanabe and Hiroaki Ishizuka and Masaki Uchida},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.11087},
year = {2025}
}
备注
13 pages, 4 figures