在Cd$_3$As$_2$薄膜中调控面内反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2025-12-30 v2
摘要
借助四带 模型与基于第一性原理计算的有效 因子，我们预言砷化镉（\ce{Cd3As2}）薄膜在面内磁场下会发生两次拓扑相变。薄膜厚度、生长方向与面内Zeeman耦合强度均可作为驱动这些相变的控制参数。对于（001）取向的 \ce{Cd3As2} 薄膜，可利用面内磁场实现由 对称性保护的三维Weyl半金属相，此点已于我们最近的姊妹篇中报道。进而我们提出两种实现面内反常霍尔效应（IPAHE）的路径。通过引入三角扭曲项或改变生长取向，可破除涌现的 对称性。因而在洁净极限与低温下，由面内Zeeman场诱导的量子化霍尔平台变得可观测。
引用
@article{arxiv.2309.15457,
title = {Engineering the in-plane anomalous Hall effect in Cd$_3$As$_2$ thin films},
author = {Wangqian Miao and Binghao Guo and Susanne Stemmer and Xi Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.15457},
year = {2025}
}
备注
Fix several typos and update references