通过相边界工程实现磁性拓扑绝缘体薄膜的量子反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2015-09-03 v3
摘要
我们在扩展的参数空间中推广了磁性拓扑绝缘体（TI）薄膜的拓扑相图，该参数空间包含面外（OP）和面内（IP）交换场，并存在结构反演不对称（SIA），同时考虑了TI所允许的通用轨道依赖自旋耦合。结果表明，IP场显著变形相边界并通常诱导量子反常霍尔（QAH）效应。对于对称自旋耦合，通过栅极偏压调节SIA，极弱的OP和IP交换场即可产生QAH态。对于反对称耦合，若无足够强的IP场则不存在QAH相。这些发现表明，在薄膜体系中，工程化相边界是高效实现和操控用于无耗散电子应用的QAH效应的关键过程。
引用
@article{arxiv.1506.03191,
title = {Quantum Anomalous Hall Effect of Magnetic Topological Insulator Thin Films by Phase Boundary Engineering},
author = {Kiminori Hattori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03191},
year = {2015}
}