近Z2拓扑临界点的场可调陈数量子反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2016-01-06 v1
摘要
我们研究了在磁性掺杂的拓扑平庸绝缘薄膜中实现具有场可调陈数（Chern number）的量子反常霍尔（QAH）效应的可行性。具体而言，在候选材料 TlBi(SSe) 中，我们证明了通过调节交换场强度或样品厚度，可在 Z2 拓扑临界点附近实现具有不同陈数的 QAH 相。我们的物理方案成功降低了实现目标陈数所需的交换耦合强度。该 QAH 机制不同于传统的基于磁性拓扑绝缘薄膜的 QAH 图像，后者必须涉及“表面”态，且有时会使实现问题复杂化。此外，我们发现给定的陈数也可通过垂直电场调节，这在存在衬底时自然发生。
引用
@article{arxiv.1601.00764,
title = {Quantum anomalous Hall effect with field-tunable Chern number near Z2 topological critical point},
author = {Le Quy Duong and Hsin Lin and Wei-Feng Tsai and Y. P. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00764},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures