分子束外延生长的量子反常霍尔多层膜
材料科学
2018-06-18 v1
摘要
量子反常霍尔（QAH）效应是一种无需外磁场即可发生的量子霍尔效应。由多个平行 QAH 层组成的系统是有效的高陈数 QAH 绝缘体，也是在低能耗电子学中应用无耗散手性边缘通道的关键。这样的 QAH 多层膜也可被设计为其他奇异拓扑相，例如仅具有一对 Weyl 点的磁性 Weyl 半金属。本工作报道了在由磁性掺杂 (Bi,Sb)Te 拓扑绝缘体和 CdSe 普通绝缘体层组成的超晶格中，通过分子束外延生长实现 QAH 多层膜的首次实验 realization。所得多层膜样品显示出量子化霍尔电阻 ，其中 为普朗克常数， 为基本电荷， 为磁性拓扑绝缘体层数，类似于高陈数 QAH 绝缘体。
引用
@article{arxiv.1806.05923,
title = {Quantum anomalous Hall multilayers grown by molecular beam epitaxy},
author = {Gaoyuan Jiang and Yang Feng and Weixiong Wu and Shaorui Li and Yunhe Bai and Yaoxin Li and Qinghua Zhang and Lin Gu and Xiao Feng and Ding Zhang and Canli Song and Lili Wang and Wei Li and Xu-Cun Ma and Qi-Kun Xue and Yayu Wang and Ke He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.05923},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 3 figures