薄膜拓扑晶体绝缘体中的大陈数量子反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-01-29 v2
摘要
量子反常霍尔（QAH）绝缘体是二维（2D）绝缘态，表现出类似于量子霍尔态的性质，但无需外部磁场。它们具有量子化的霍尔电导，其中整数称为陈数，代表无能隙边缘模的数量。最近的实验表明，铬掺杂的薄膜(Bi,Sb)Te是一种陈数的QAH绝缘体。在这里，我们理论上预测，当掺杂铁磁有序掺杂剂时，薄膜拓扑晶体绝缘体（TCI）可以承载各种QAH相。原则上，由于（a）诱导的塞曼场（取决于磁性掺杂浓度）、（b）结构畸变（固有的或由压电材料通过邻近效应诱导的）以及（c）薄膜厚度之间的相互作用，可以达到之间的任何陈数。在TCI中发现的可调陈数对于超低功耗信息处理应用具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1306.0888,
title = {Large Chern Number Quantum Anomalous Hall Effect In Thin-film Topological Crystalline Insulators},
author = {Chen Fang and Matthew J. Gilbert and B. Andrei Bernevig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.0888},
year = {2014}
}
备注
References updated