外场对高陈数量子反常霍尔绝缘体的影响
介观与纳米尺度物理
2022-12-28 v1 材料科学
摘要
高陈数量子反常霍尔态迄今已在由交替的磁性拓扑绝缘体层与非掺杂拓扑绝缘体层组成的多层结构中实现。然而，在以往的提案中，陈数只能通过改变掺杂浓度或磁性拓扑绝缘体层的宽度来调节。这一缺陷严重限制了无耗散手性边缘电流在电子学中的应用，因为导电通道数目保持固定。本工作中，我们提出一种通过沿堆叠方向施加外电场来任意改变这些多层结构陈数的方法。在堆叠方向存在电场时，无偏结构的反带合并并杂化，产生新的反带并使原先的反带坍缩。由此，样品中的陈态数目可在外部调节，而无需修改层数、层宽或掺杂水平。我们表明，该效应可通过在费米能级恒定注入能量下横向电导随电场的变化来揭示。
引用
@article{arxiv.2208.03585,
title = {Effect of the external fields in high Chern number quantum anomalous Hall insulators},
author = {Yuriko Baba and Mario Amado and Enrique Diez and Francisco Domínguez-Adame and Rafael A. Molina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.03585},
year = {2022}
}