二维任意拓扑指数双能带陈绝缘体的几何构造
介观与纳米尺度物理
2012-05-28 v3
摘要
破坏时间反演对称性的二维双能带绝缘体可以呈现由拓扑不变量陈数（Chern number）索引的拓扑相。本文首先提出了一种确定该拓扑指数的有效程序。该工具原则上允许构造具有任意陈数的双能带哈密顿量。我们将该方法应用于逐步构建一种量子反常霍尔绝缘体（陈绝缘体），其可通过陈数为 {0, +/-1, +/-2} 的五个拓扑相进行调控。在圆柱形有限几何结构上，此类绝缘体因此可支持多达两个边缘态，我们对其进行了解析表征。基于此非平凡陈绝缘体及其时间反演副本，我们构建了量子自旋霍尔绝缘体，并展示了具有 +/-2 陈指数的相如何产生平凡的 Z2 绝缘相。
引用
@article{arxiv.1201.6613,
title = {Geometrical engineering of a two-bands Chern insulator in two dimensions with arbitrary topological index},
author = {Doru Sticlet and Frederic Piéchon and Jean-Noël Fuchs and Pavel Kalugin and Pascal Simon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.6613},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 9 figures