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具有反演对称性的非厄米陈绝缘体

介观与纳米尺度物理 2019-10-11 v3 材料科学 强关联电子 量子物理

摘要

我们提出了一种具有反演对称性的二维非厄米陈绝缘体,该系统是各向异性的,并在x和y方向上均具有交错增益与损耗。在此系统中,传统的体-边界对应关系成立。陈数是一个拓扑不变量,可准确预测拓扑非平庸带隙相中的拓扑相变以及螺旋边缘态的存在。在无能隙相中,能带接触点是孤立的且受对称性保护。简并点改变了系统拓扑,而例外点会破坏螺旋边缘态的存在。对于在一个方向上采用开放边界条件的系统,无能隙相中存在拓扑保护的螺旋边缘态,这由与Pauli矩阵平均值向量场相关的缠绕数所预言。该缠绕数还可识别能带中边缘态与体态之间的脱离点。非厄米性还支持一种陈数为零的拓扑相,其中存在一对带隙内螺旋边缘态。我们的发现为对称性保护的非厄米拓扑绝缘体提供了见解。

关键词

引用

@article{arxiv.1905.11576,
  title  = {Inversion symmetric non-Hermitian Chern insulator},
  author = {H. C. Wu and L. Jin and Z. Song},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1905.11576},
  year   = {2019}
}

备注

16 pages, 11 figures