具有趋肤效应的非厄米 Chern 绝缘体中的拓扑
介观与纳米尺度物理
2022-02-21 v3 材料科学
高能物理 - 实验
摘要
非厄米趋肤效应可出现在原子或共振单元之间存在不对称跃迁的材料中,这使得体能谱对边界条件敏感。当趋肤效应出现时,体连续谱中的本征态可以局域在边缘上,使得边缘态和体态之间的区分变得困难。我们通过结合两种方法(“非 Bloch”方法和“双正交”方法)建立了具有非厄米趋肤效应的 Chern 绝缘体模型的体边对应关系。这两种方法都可以抑制趋肤效应,但它们基于不同的数学工具。双正交逆参与率被用作区分体态和边缘态的度量,而非 Bloch Chern 数被用于表征拓扑并预测拓扑边缘能带的数目。除了切向简并外,还发现体能带和边缘能带之间会出现交叉简并。它们的存在丰富了边缘态的(去)局域化行为,但不影响 Chern 数。系统的相图具有在厄米系统中未发现的有趣特征。例如,通过调节单一参数可以引发一次拓扑相变和两次非厄米相变。由于非零判别数保证了非厄米能带简并的稳定存在,无能隙相受到拓扑保护。
引用
@article{arxiv.2111.02648,
title = {Topology in non-Hermitian Chern insulators with skin effect},
author = {Yi-Xin Xiao and C. T. Chan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.02648},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 4 figures