源自二维节点环半金属的拓扑绝缘相
介观与纳米尺度物理
2016-10-19 v2
摘要
从二维节点环半金属的最小模型出发，我们研究了手性质量隙项的影响。所得狄拉克环反常霍尔绝缘体的陈数 (Chern number) 是环上质量隙项的相位卷绕数。我们提供了简单的晶格模型，分析了拓扑相，并推广了先前表征拓扑跃迁的指标。还研究了狄拉克环反常霍尔绝缘体和量子自旋霍尔绝缘体对磁场矢势的响应（包括弱场和强场机制），以及 ribbon 几何结构中的边缘态。
引用
@article{arxiv.1607.08446,
title = {Topological insulating phases from two-dimensional nodal loop semimetals},
author = {Linhu Li and Miguel A. N. Araújo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.08446},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 6 figures