磁性掺杂拓扑绝缘体中的双向手性反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2022-04-28 v1 材料科学
摘要
磁性掺杂拓扑绝缘体中与时间反演对称性破缺相关的手性对量子输运现象具有重要影响。在此，我们报道了具有不同厚度与掺杂浓度的 Mn 掺杂和 Cr 掺杂 BiTe 拓扑绝缘体中的反常霍尔效应研究。通过追踪霍尔回线的手性，我们发现具有顺时针手性的 Mn 型反常霍尔效应随薄膜厚度减小而增强，这与具有逆时针手性的 Cr 型反常霍尔效应相反。我们提供了一个唯象模型来解释磁性掺杂拓扑绝缘体中磁有序与反常霍尔效应手性的演化。
引用
@article{arxiv.2112.06221,
title = {Ambi-chiral anomalous Hall effect in magnetically doped topological insulators},
author = {Chang Liu and Yunyi Zang and Yan Gong and Ke He and Xucun Ma and Qi-Kun Xue and Yayu Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.06221},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 5 figures