Cu 掺杂 Sb2Te3 拓扑绝缘体中的反常与拓扑 Hall 效应
介观与纳米尺度物理
2018-09-18 v1
摘要
在不同温度与不同磁场下对 Sb1.90Cu0.10Te3 进行了磁输运与磁化测量。高场下的磁输运测量表明体态与表面态共存。磁化显示 Cu 掺杂诱导了反铁磁有序，其中观察到的量子振荡表明 Sb1.90Cu0.10Te3 中的磁化是体性质。Hall 数据中的非线性暗示了反常 Hall 效应与拓扑 Hall 效应的存在。已从 Cu 掺杂 Sb2Te3 拓扑绝缘体的测量 Hall 数据中评估出其反常与拓扑 Hall 效应（THE）。
引用
@article{arxiv.1809.05663,
title = {Anomalous and Topological Hall effect in Cu doped Sb2Te3 Topological Insulator},
author = {Abhishek Singh and Vinod K Gangwar and Prashant Shahi and Debarati Pal and Rahul Singh and A. K. Ghosh and Swapnil Patil and Jinguang Cheng and Sandip Chatterjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.05663},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 5 figures