近邻铁磁绝缘体拓扑绝缘体中的大反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2019-07-04 v1 材料科学
摘要
我们报道了由铁磁绝缘体 Cr2Ge2Te6 与拓扑绝缘体 (Bi,Sb)2Te3 构成的全碲化物异质结构中由近邻效应驱动的大反常霍尔效应。尽管 (Bi,Sb)2Te3 层中的磁化强度较小，反常霍尔电导达到了 0.2e2/h 的大值，与 Cr2Ge2Te6 的铁磁响应一致。结果表明，拓扑绝缘体表面态与近邻 Cr2Ge2Te6 层之间的交换耦合是有效的且足够强，从而在表面态中打开可观的交换能隙。
引用
@article{arxiv.1906.02159,
title = {Large Anomalous Hall Effect in Topological Insulators with Proximitized Ferromagnetic Insulators},
author = {Masataka Mogi and Taro Nakajima and Victor Ukleev and Atsushi Tsukazaki and Ryutaro Yoshimi and Minoru Kawamura and Kei S Takahashi and Takayasu Hanashima and Kazuhisa Kakurai and Taka-hisa Arima and Masashi Kawasaki and Yoshinori Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02159},
year = {2019}
}
备注
33 pages, 12 figures including supplemental material, accepted by PRL