拓扑绝缘体与亚铁磁体的界面：分子束外延生长的 Bi$_2$Te$_3$ 与 Fe$_3$O$_4$ 异质结构
材料科学
2020-09-07 v1
摘要
依托拓扑绝缘体与磁性绝缘体异质结构中邻近效应诱导的磁性，是实现量子反常霍尔效应的可行途径之一。本文研究 BiTe 与 FeO 的异质结构。通过分子束外延生长两类不同异质结构——FeO 覆于 BiTe 上以及 BiTe 覆于 FeO 上——我们探究了其在化学稳定性、晶体质量、电子结构与输运性质上的差异。我们发现 BiTe 覆于 FeO 上的异质结构更为可行，其输运特征与拓扑表面态中能隙打开相一致。
引用
@article{arxiv.2006.14914,
title = {Interfacing topological insulators and ferrimagnets: Bi$_2$Te$_3$ and Fe$_3$O$_4$ heterostructures grown by molecular beam epitaxy},
author = {V. M. Pereira and C. N. Wu and C. -A. Knight and A. Choa and L. H. Tjeng and S. G. Altendorf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.14914},
year = {2020}
}
备注
accepted for publication in APL Materials