铁磁绝缘体 - 拓扑绝缘体异质结构中的大反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-08-27 v2
摘要
我们展示了拓扑绝缘体化合物 Bi2Te3 在铁磁绝缘体 Cr2Ge2Te6 上的范德华外延生长。Bi2Te3 的 (001) 面平行于 Cr2Ge2Te6 的 (001) 面，且 Bi2Te3 的 (110) 面平行于 Cr2Ge2Te6 的 (100) 面。截面透射电子显微镜表明形成了尖锐的界面。在低温下，由 Bi2Te3 生长在 Cr2Ge2Te6 上组成的双层结构表现出巨大的反常霍尔效应（AHE）。对 AHE 的倾斜场研究表明，易轴沿异质结构的 c 轴方向，这与块体 Cr2Ge2Te6 的磁化测量结果一致。Cr2Ge2Te6 的 61 K 居里温度以及近化学计量比材料的使用，可能会推动基于 AHE 的自旋电子器件的发展。
引用
@article{arxiv.1407.1432,
title = {Large anomalous Hall effect in ferromagnetic insulator-topological insulator heterostructures},
author = {L. D. Alegria and H. Ji and N. Yao and J. J. Clarke and R. J. Cava and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.1432},
year = {2014}
}
备注
Related papers at http://pettagroup.princeton.edu