反铁磁Cr2O3/Ta双层中反常霍尔效应诱导的自旋霍尔磁电阻
材料科学
2018-10-30 v3
摘要
在Cr2O3/Ta结构中观测到了自旋霍尔磁电阻(SMR)与反常霍尔效应(AHE)。我们研究了Cr2O3/Ta双层的结构与表面形貌。纵向与横向电阻测量的温度依赖关系证实了Cr2O3/Ta结构中SMR与AHE信号之间的关联。借助温度依赖磁电阻测量，揭示了Cr2O3/Ta结构中SMR的物理起源，并证明了由AHE产生的自旋电流对SMR的贡献。Cr2O3薄膜中体反铁磁序所导致的所谓边界磁化，可能是Cr2O3/Ta双层中SMR与AHE关联的原因。
引用
@article{arxiv.1806.01475,
title = {Anomalous Hall effect induced spin Hall magnetoresistance in an antiferromagnetic Cr2O3/Ta bilayer},
author = {Yang Ji and J. Miao and K. K. Meng and X. G. Xu and J. K. Chen and Y. Wu and Y. Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01475},
year = {2018}
}