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SrRuO$_3$ 中的红外反常霍尔效应:向本征行为转变的证据

强关联电子 2015-05-14 v2 材料科学

摘要

许多巡游铁磁体中霍尔效应的起源仍未解决,其中来自样品磁化的反常贡献可能表现出非本征或本征行为。我们首次报道了在 115-1400 meV 能量范围内 SrRuO3_3 薄膜中复霍尔角 (θH\theta_H)、法拉第角 (θF\theta_F)、克尔角 (θK\theta_K) 以及霍尔电导率 (σxy\sigma_{xy}) 的中红外 (MIR) 测量结果。探讨了霍尔效应的磁场、温度和频率依赖性。中红外磁光响应显示出非常强的频率依赖性,包括符号变化。在 200 meV 以下,中红外 θH(T)\theta_H (T) 在 120 至 150 K 之间改变符号,正如直流霍尔测量中所观察到的那样。在 200 meV 以上,θH\theta_H 的温度依赖性与直流磁化强度相似,并且测量结果与本征反常霍尔效应 (AHE) 的能带计算预测非常吻合。所测霍尔效应的温度和频率依赖性表明,虽然 200 meV 以上的行为与本征 AHE 一致,但非本征 AHE 在较低能量响应中起着重要作用。

关键词

引用

@article{arxiv.0910.4557,
  title  = {Infrared anomalous Hall effect in SrRuO$_3$: Evidence for crossover to intrinsic behavior},
  author = {M. -H. Kim and G. Acbas and M. -H. Yang and M. Eginligil and P. Khalifah and I. Ohkubo and H. Christen and D. Mandrus and Z. Fang and J. Cerne},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4557},
  year   = {2015}
}

备注

The resolution of figures is improved