SrRuO$_3$ 中的红外反常霍尔效应:向本征行为转变的证据
强关联电子
2015-05-14 v2 材料科学
摘要
许多巡游铁磁体中霍尔效应的起源仍未解决,其中来自样品磁化的反常贡献可能表现出非本征或本征行为。我们首次报道了在 115-1400 meV 能量范围内 SrRuO 薄膜中复霍尔角 ()、法拉第角 ()、克尔角 () 以及霍尔电导率 () 的中红外 (MIR) 测量结果。探讨了霍尔效应的磁场、温度和频率依赖性。中红外磁光响应显示出非常强的频率依赖性,包括符号变化。在 200 meV 以下,中红外 在 120 至 150 K 之间改变符号,正如直流霍尔测量中所观察到的那样。在 200 meV 以上, 的温度依赖性与直流磁化强度相似,并且测量结果与本征反常霍尔效应 (AHE) 的能带计算预测非常吻合。所测霍尔效应的温度和频率依赖性表明,虽然 200 meV 以上的行为与本征 AHE 一致,但非本征 AHE 在较低能量响应中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.0910.4557,
title = {Infrared anomalous Hall effect in SrRuO$_3$: Evidence for crossover to intrinsic behavior},
author = {M. -H. Kim and G. Acbas and M. -H. Yang and M. Eginligil and P. Khalifah and I. Ohkubo and H. Christen and D. Mandrus and Z. Fang and J. Cerne},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4557},
year = {2015}
}
备注
The resolution of figures is improved