镍中本征反常霍尔效应的温度依赖性
材料科学
2015-05-28 v1 强关联电子
摘要
我们研究了镍中反常霍尔效应不寻常的温度依赖性。通过改变分子束外延生长的镍薄膜的厚度，无需掺杂杂质即可独特地调节纵向电阻率；因此，本征贡献和外禀贡献被清晰地分离开来。与铁等其他铁磁体形成鲜明对比的是，镍中的本征贡献被发现具有很强的温度依赖性，在低温下值为1100 (欧姆·厘米)^(-1)，在高温下值为500 (欧姆·厘米)^(-1)。这种显著的温度依赖性，是长期以来关于反常霍尔效应物理起源困惑的原因，很可能归因于费米面附近自旋轨道耦合引起的小能级分裂。我们的结果有助于为反常霍尔效应的贝里相位解释这一普遍论断铺平道路。
引用
@article{arxiv.1105.5664,
title = {Temperature Dependence of the Intrinsic Anomalous Hall Effect in Nickel},
author = {Li Ye and Yuan Tian and Di Xiao and Xiaofeng Jin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5664},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures