薄铁磁薄膜中反常霍尔效应的无序与温度依赖性：微观模型
无序系统与神经网络
2009-11-13 v1
摘要
我们考虑了薄无序铁磁薄膜中的反常霍尔效应 (AHE)。利用包含自旋轨道耦合的相同杂质随机势中的电子微观模型，我们发展了针对强、有限程杂质散射的一般表述。我们在短程但强杂质散射范围内进行了显式计算，以获取斜散射和侧跳机制的反常霍尔电导率。我们还评估了由相互作用和弱局域化效应引起的量子修正。我们表明，对于任意强度的杂质散射，由于一般的对称性原因，电子 - 电子相互作用对反常霍尔电导的修正精确为零。另一方面，我们发现，在强、短程杂质散射模型内对弱局域化修正的显式评估，可以解释无序铁磁 Fe 薄膜中实验观测到的对数温度依赖性。
引用
@article{arxiv.0710.5416,
title = {Disorder and temperature dependence of the Anomalous Hall Effect in thin ferromagnetic films: Microscopic model},
author = {K. A. Muttalib and P. Woelfle},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.5416},
year = {2009}
}
备注
to be published in Phys. Rev. B