Weyl 反铁磁体 Mn$_3$Sn 薄膜中的室温太赫兹反常霍尔效应
材料科学
2020-03-11 v2
摘要
反铁磁自旋在太赫兹（THz）频率下的运动因快速自旋电子学而备受关注，但其对外部场较小的响应阻碍了器件应用。近来，非共线反铁磁体 MnSn（一种 Weyl 半金属候选材料）被报道在室温下展现出与铁磁体相当的大反常霍尔效应（AHE）。这种大响应的动力学特性是未来 THz 数据处理亟需阐明的重要问题。本文通过偏振分辨光谱研究了 MnSn 薄膜中的 THz 反常霍尔电导。在 THz 频率下清晰观测到作为偏振旋转的大反常霍尔电导 Re 20 。相比之下，Im 在数 THz 范围内均较小，表明 AHE 在宽频率范围内保持无耗散。本文还讨论了对应于自旋纹理中对称性破缺/恢复的奇特温度依赖性。室温下 THz AHE 的观测展示了利用 MnSn 的反铁磁自旋电子学超快读取，并将为研究 Weyl 反铁磁体中的非平衡动力学开辟新途径。
引用
@article{arxiv.1912.12668,
title = {Room-Temperature Terahertz Anomalous Hall Effect in Weyl Antiferromagnet Mn$_3$Sn Thin Films},
author = {Takuya Matsuda and Natsuki Kanda and Tomoya Higo and N. P. Armitage and Satoru Nakatsuji and Ryusuke Matsunaga},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.12668},
year = {2020}
}