手性反铁磁体Mn3Ge中的巨异常霍尔效应
强关联电子
2016-07-05 v3 材料科学
摘要
外场对反铁磁性的控制是基础科学和技术应用的一个重要课题。作为检测磁态的一种有用宏观响应，异常霍尔效应(AHE)在铁磁体中为人所知，但直到最近在Mn3Sn中发现之前从未在反铁磁体中观察到。这里我们报告了在相关反铁磁体中AHE的另一个例子，即在六方手性反铁磁体Mn3Ge中。我们的单晶研究表明，Mn3Ge在室温下表现出巨异常霍尔电导 ~ 60 per ohm per cm，在5 K零场下约为380 per ohm per cm，达到陈数为1的量子霍尔效应每原子层期望值的近一半。我们对各向异性霍尔电导的详细分析表明，与面内场分量 和 （非常大且大小几乎相当）相比，沿c轴场获得的 要小得多。异常霍尔效应在小于0.1 T的小磁场旋转下显示符号反转。AHE对磁场的软响应应可用于应用，例如开发基于反铁磁体的开关和存储器件。
引用
@article{arxiv.1511.04619,
title = {Giant Anomalous Hall Effect in the Chiral Antiferromagnet Mn3Ge},
author = {Naoki Kiyohara and Takahiro Tomita and Satoru Nakatsuji},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.04619},
year = {2016}
}