Kagome 反铁磁体中室温拓扑霍尔效应的实验实现
材料科学
2023-02-01 v4 强关联电子
摘要
磁性拓扑半金属是物质电子相与磁相之间相互作用的体现，导致了反常霍尔效应（AHE）和拓扑霍尔效应（THE）等奇特特性。MnSn 是一种时间反演对称性破缺（TRS）的磁性 Weyl 半金属，在 Kagome 晶格网络中展现出拓扑特性。在本研究中，我们首次揭示了 MnSn 在室温下的大且纯的拓扑霍尔效应，该效应在 Mn 位点上通过 Fe 掺杂 MnFeSn 而逐渐受到抑制。我们进一步确定这些体系的拓扑性质具有高度各向异性。这些发现有望实现室温下潜在的拓扑电子学应用。
引用
@article{arxiv.2112.15409,
title = {Experimental Realization of Room Temperature Topological Hall Effect in Kagome Antiferromagnet},
author = {Achintya Low and Susanta Ghosh and Sayan Routh and Setti Thirupathaiah},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.15409},
year = {2023}
}
备注
7 pages and 4 figures