几何阻挫kagome磁体Fe3Sn2中的大拓扑霍尔效应
材料科学
2019-11-28 v1 强关联电子
摘要
我们报道在具有kagome双层结构的几何阻挫Fe3Sn2磁体中，于宽温区内观测到的大拓扑霍尔效应 (THE)。我们发现THE电阻率随温度升高而增大，并在380 K达到 -0.875 μΩ·cm。此外，THE变化所对应的临界磁场与磁结构转变一致，表明实空间赝磁场正比于Fe3Sn2中磁skyrmion的形成。该结果强烈暗示大THE起源于拓扑磁自旋纹理，并可能为探索kagome材料中的涌现现象开辟进一步研究机遇。
引用
@article{arxiv.1911.12214,
title = {Large topological Hall effect in a geometrically frustrated kagome magnet Fe$_3$Sn$_2$},
author = {Hang Li and Bei Ding and Jie Chen and Zefang Li and Zhipeng Hou and Enke Liu and Hongwei Zhang and Xuekui Xi and Guangheng Wu and Wenhong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.12214},
year = {2019}
}
备注
18 pages, 4 figures and Supplementary materials