近室温下的斯格明子拓扑霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2019-05-06 v1
摘要
磁性斯格明子是稳定的纳米尺度自旋结构,可在低电流密度下移动。基于这些性质,它们被提议作为未来具有空前高信息密度与低能耗电子器件的构建单元。通过拓扑霍尔效应(THE)对斯格明子进行电学探测,迄今仅在低温下得到演示。在此,我们报道了在 FeGe 的介观薄片中于近室温(276 K)观测到斯格明子拓扑霍尔效应。该区域与中子散射所揭示的斯格明子晶格位置明确重合。我们提供了斯格明子相毗邻处存在再入螺旋磁相的明确证据,并针对普通霍尔效应讨论了大的 THE 幅度(5 n.cm)。
引用
@article{arxiv.1805.05267,
title = {Skyrmion Topological Hall Effect near Room Temperature},
author = {Maxime Leroux and Matthew J. Stolt and Song Jin and Douglas V. Pete and Charles Reichhardt and Boris Maiorov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05267},
year = {2019}
}