Kagome 磁体 Fe3Ge 中由自旋重取向引起的大拓扑霍尔效应
材料科学
2024-03-27 v1
摘要
具有自旋手性的材料系统可以为数字化转型提供超高密度、超快速度和超低功耗的信息载体。这些材料系统包括磁斯格明子、手性畴壁、自旋重取向等。拓扑霍尔效应（THE）已被确定为检测这些系统中自旋手性存在的最便捷有效的工具。关于可能由自旋重取向引起的 THE，特别是在具有自旋重取向的 Fe3Ge 中的 THE 研究仍是一个未被探索的领域，因此我们对 Fe3Ge 中的 THE 进行了系统研究。X 射线衍射（XRD）结果表明，我们的 Fe3Ge 薄带样品具有 D019 结构。第一性原理计算以及磁学和电学测试证实了 Fe3Ge 薄带样品在 350 K 时存在自旋重取向。霍尔电阻率测试结果与我们的预期一致，表明 Fe3Ge 薄带样品中存在 THE。拓扑霍尔电阻率在 400 K 时达到最大值 0.69 mΩ cm。我们首次对具有自旋重取向的 Fe3Ge 中的 THE 进行了详细的实验研究，为 THE 家族引入了一个新成员。
引用
@article{arxiv.2403.17354,
title = {Large topological Hall effect arising from spin reorientation in kagome magnet Fe3Ge},
author = {Zixuan Zhang and Mingyue Zhao and Li Ma and Guoke Li and Congmian Zhen and Dewei Zhao and Denglu Hou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.17354},
year = {2024}
}