调控 Pt/Co/X (X = Ta, Re) 薄膜中的拓扑霍尔效应
材料科学
2025-07-22 v2
摘要
在过去的几十年中，电子输运与磁性的结合引起了自旋电子学领域的更多关注。其中，由非平凡物体的突现磁场引起的拓扑霍尔效应（THE）被认为是探测斯格明子存在的有力工具。具有降低的有效各向异性的可观界面 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（iDMI）可以稳定薄膜中的斯格明子。最近，在 Pt/Co/Re 薄膜中预测存在较大的 iDMI。在此，我们研究了各种磁性相互作用对垂直磁化 Pt/Co/X (X = Ta, Re) 薄膜中 THE 的影响。通过 THE 和磁力显微镜（MFM）成像证实了斯格明子的存在。值得注意的是，在不同的样品中观察到了两种不同类型的 THE 信号，并通过微磁学模拟进行了解释。我们的结果表明，交换相互作用、iDMI、有效各向异性和饱和磁化强度在决定由不同斯格明子相引起的拓扑霍尔电阻率行为的变化中起着重要作用。这些发现有助于开发具有不同斯格明子相的新型材料系统，并在自旋电子学中具有潜在应用。
引用
@article{arxiv.2405.05361,
title = {Tailoring the Topological Hall Effect in Pt/Co/X (X = Ta, Re) thin films},
author = {Brindaban Ojha and Shaktiranjan Mohanty and Bhuvneshwari Sharma and Subhankar Bedanta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.05361},
year = {2025}
}