磁性拓扑绝缘体中维度渡越诱导的拓扑霍尔效应
材料科学
2017-11-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了对利用分子束外延生长、厚度得到精确控制的 Mn 掺杂 Bi2Te3 拓扑绝缘体（TI）薄膜的输运研究。我们发现，厚度大于 5 个五重层（QL）的薄膜表现出磁性 TI 常见的反常霍尔效应。然而，当厚度减小至 4 QL 时，出现了与拓扑霍尔效应（THE）相关的特征。更令人惊讶的是，当薄膜厚度进一步减小至 3 QL 时，THE 再次消失。理论计算表明，在维度渡越区域，顶部和底部表面态之间的耦合稳定了导致 THE 的磁性斯格明子结构。
引用
@article{arxiv.1709.08161,
title = {Dimensional Crossover Induced Topological Hall Effect in a Magnetic Topological Insulator},
author = {Chang Liu and Yunyi Zang and Wei Ruan and Yan Gong and Ke He and Xucun Ma and Qi-Kun Xue and Yayu Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.08161},
year = {2017}
}
备注
4 figures, with supplementary materials, to appear in Phys. Rev. Lett