拓扑绝缘体薄膜中通过界面工程实现的创纪录表面态迁移率与量子霍尔效应
材料科学
2015-12-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
材料缺陷仍是拓扑绝缘体（TIs）发展的主要瓶颈。特别地，旨在获得具有主导表面输运的薄TI样品的努力总是导致缺陷增加和迁移率下降，从而使得难以探测拓扑表面态的量子区域。在此，通过利用由In2Se3/(Bi0.5In0.5)2Se3异质结构组成的新型缓冲层方案，我们引入了迁移率比先前增强一个数量级的Bi2Se3薄膜的量子新代。该方案导致了在Bi2Se3中量子霍尔效应的首次观测。
引用
@article{arxiv.1511.08939,
title = {Record Surface State Mobility and Quantum Hall Effect in Topological Insulator Thin Films via Interface Engineering},
author = {Nikesh Koirala and Matthew Brahlek and Maryam Salehi and Liang Wu and Jixia Dai and Justin Waugh and Thomas Nummy and Myung-Geun Han and Jisoo Moon and Yimei Zhu and Daniel Dessau and Weida Wu and N. Peter Armitage and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08939},
year = {2015}
}
备注
33 pages, to be published in Nano Letters