可视化超薄拓扑绝缘体薄膜畴界中的带隙内态
介观与纳米尺度物理
2021-08-09 v1 材料科学
摘要
超薄拓扑绝缘体为实现量子自旋霍尔效应、量子反常霍尔效应等诸多奇异现象提供了平台。这些效应或态的特征在于边缘态的量子化输运行为。实验上，尽管这些态已在多种体系中实现，但边缘态作为输运主导通道的温度极低，这与体带隙通常处于数十毫电子伏量级的事实相悖。必然存在其他带隙内导电通道，其直至更低温度才会冻结。本文通过分子束外延生长超薄拓扑绝缘体 Bi2Te3 与 Sb2Te3 薄膜，并研究这些薄膜中畴界的结构。借助扫描隧道显微镜与谱学，我们发现具有大转角的畴界具有显著的带隙内束缚态，通过空间分辨谱学可视化表明一维导电通道由此形成。我们的工作揭示了畴界在劣化输运性质中所起的关键作用。
引用
@article{arxiv.2108.03103,
title = {Visualizing the in-gap states in domain boundaries of ultra-thin topological insulator films},
author = {Jun Zhang and Junbo Cheng and Shuaihua Ji and Yeping Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.03103},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 4 figures