拓扑绝缘体薄膜的结构表征
材料科学
2015-07-13 v1
摘要
我们描述了在常用衬底上通过分子束外延生长拓扑绝缘体薄膜时产生的结构缺陷。双晶畴普遍存在，但可以通过在光滑 InP (111)A 衬底上生长来减少，这取决于氧化物脱附的细节。即使双晶畴密度很低，(Bi,Sb)₂Te₃ 与 InP 之间的晶格失配仍可导致薄膜相对于衬底的倾斜。我们还简要讨论了顶栅和底栅电控器件中使用 SrTiO₃ 的情况，以及使用覆盖层保护拓扑绝缘体薄膜免受氧化和暴露。
引用
@article{arxiv.1506.08175,
title = {Characterizing the Structure of Topological Insulator Thin Films},
author = {Anthony Richardella and Abhinav Kandala and Joon Sue Lee and Nitin Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.08175},
year = {2015}
}