生长在 Bi2Te3 上的外延 SnTe 薄膜中的拓扑表面输运
介观与纳米尺度物理
2014-04-10 v2 材料科学
摘要
拓扑晶体绝缘体 SnTe 已通过分子束外延在 Bi2Te3 缓冲层上外延生长。在 30 nm 厚的 SnTe 薄膜中，发现 p 型和 n 型载流子共存，Shubnikov--de Haas 振荡数据表明 n 型载流子是位于 SnTe (111) 表面的狄拉克费米子。由于自由 SnTe 表面出现看似源于本征的能带向下弯曲，使得在 p 型拓扑晶体绝缘体中观测到拓扑表面态的输运成为可能。
引用
@article{arxiv.1305.2470,
title = {Topological Surface Transport in Epitaxial SnTe Thin Films Grown on Bi2Te3},
author = {A. A. Taskin and Fan Yang and Satoshi Sasaki and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.2470},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 4 figures (main text) + 7 pages, 7 figures (supplemental material); final version, Phys.Rev.B, Rapid Communications