生长在 Si 上的 Bi2Te3 薄膜的晶体结构与外延
材料科学
2012-12-04 v1
摘要
我们报告了对生长在 Si (1 1 1) 上的拓扑绝缘体 Bi2Te3 薄膜的晶体结构和外延的综合 X 射线衍射研究。这些薄膜是具有高结晶质量的单晶，其质量强烈依赖于衬底的质量，其面内外延关系为 Bi2Te3 [2 1 -3 0] || Si [1 -1 0] 和 Bi2Te3 [0 1 -1 0] || Si [1 1 -2]，沿这些方向 1x3 Bi2Te3 和 2x2 Si 超晶胞的晶格匹配良好。随着样品老化，我们观察到结晶 Bi2Te3 薄膜厚度的损失伴随着结晶界面的粗糙化、新晶相的形成以及 Si 衬底的成分和结构改变，这与 Te 扩散进入 Si 衬底一致。
引用
@article{arxiv.1212.0481,
title = {Crystal structure and epitaxy of Bi2Te3 films grown on Si},
author = {Jihwey Park and Yeong-Ah Soh and G. Aeppli and S. R. Bland and Xie-Gang Zhu and Xi Chen and Qi-Kun Xue and Francois Grey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0481},
year = {2012}
}