分子束外延生长的外延高指数 Bi2Se3(221) 薄膜中的应变
材料科学
2017-01-04 v3
摘要
在 In2Se3 缓冲的 GaAs(001) 上生长了高指数 Bi2Se3(221) 薄膜,其中记录到了显著延缓的应变弛豫动力学。外延 Bi2Se3(221) 中缓慢的应变弛豫过程可归因于 Bi2Se3 晶体的层状结构,其中沿 [221] 方向生长的外延薄膜就像是一堆弱耦合的五重层板块并排堆叠在衬底上。最后,我们通过绘制由第一性原理方法计算的微分电荷等值线,揭示了 Bi2Se3 和 In2Se3 界面处存在强化学键合。本研究指出了实现应变拓扑绝缘体以调控拓扑系统性质的可行性。
引用
@article{arxiv.1606.06227,
title = {Strain in Epitaxial High-Index Bi2Se3(221) Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy},
author = {B. Li and W. G. Chen and X. Guo and W. K. Ho and X. Q. Dai and J. F. Jia and M. H. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.06227},
year = {2017}
}