Bi₂Se₃在GaAs (111)B上的相干异质外延生长
材料科学
2011-12-08 v1
摘要
我们报道了通过分子束外延在GaAs的(111)B表面上异质外延生长Bi₂Se₃单晶薄膜。我们发现Bi₂Se₃具有高度c轴取向生长，并与GaAs衬底形成原子级尖锐的界面。通过在生长Bi₂Se₃之前优化生长一层非常薄的GaAs缓冲层，我们展示了在数百纳米范围内具有原子级平坦平台的薄膜生长。初始的时间分辨Kerr旋转测量预示着在候选拓扑绝缘体与一大类基于GaAs的异质结构之间的界面上探测相干自旋动力学的机遇。
引用
@article{arxiv.1012.1918,
title = {Coherent Heteroepitaxy of Bi2Se3 on GaAs (111)B},
author = {A. Richardella and D. M. Zhang and J. S. Lee and A. Koser and D. W. Rench and A. L. Yeats and B. B. Buckley and D. D. Awschalom and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.1918},
year = {2011}
}
备注
To appear in Applied Physics Letters