GaAs(001)上Fe3Si/Al/Fe3Si薄膜堆叠的结构
材料科学
2015-12-10 v2
摘要
Fe3Si/Al/Fe3Si/GaAs(001)结构通过分子束外延沉积，并通过透射和扫描电子显微镜以及X射线衍射进行表征。在GaAs(001)上的第一层Fe3Si薄膜以外延方式生长为(001)取向单晶。随后的Al薄膜尽管底层Fe3Si恰好是(001)取向，却几乎以111取向以纤维织构生长。这种取向的生长是由在Fe3Si/Al界面处形成的薄过渡区引发的。最终，在Al上生长第二层Fe3Si层后，整个堆叠的最终性质取决于最后一层薄膜沉积过程中的衬底温度 T_S。上层Fe3Si薄膜主要是110取向，尽管它们是多晶的。在较低的 T_S（约室温）下，所有薄膜保持其原始结构性质。
引用
@article{arxiv.1506.05357,
title = {Structure of Fe3Si/Al/Fe3Si thin film stacks on GaAs(001)},
author = {Bernd Jenichen and Uwe Jahn and Andrei Nikulin and Jens Herfort and Holm Kirmse},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05357},
year = {2015}
}
备注
Microscopy of Semiconducting Materials 2015