GaAs(001)上 Co$_{2}$TiSi 薄膜的结构性质
材料科学
2019-07-12 v1
摘要
通过分子束外延在 GaAs(001)上生长 CoTiSi 薄膜，并利用反射高能电子衍射和电子显微镜进行分析。此外，将 X 射线衍射与基于密度泛函理论的晶格参数计算相结合，比较 \textit{L} 与 \textit{B}2 结构，并考虑非化学计量比的影响。研究发现柱状生长，并将其归因于非随机合金化引起的不均匀外延应变。在厚度达 13~nm 的薄膜中，这些柱状结构可能是易轴垂直于样品表面的垂直磁化的起源。我们发现了 \textit{L} 和 \textit{B}2 有序区域，但 [Co]/[Ti] 比随薄膜中位置的不同而变化。由此产生的柱状结构导致各向异性的 \textit{B}2 有序，其最佳有序方向平行于柱状结构的轴。
引用
@article{arxiv.1907.05238,
title = {Structural properties of Co$_{2}$TiSi films on GaAs(001)},
author = {B Jenichen and J Herfort and M Hanke and U Jahn and X Kong and M T Dau and A Trampert and H Kirmse and S C Erwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05238},
year = {2019}
}