薄Heusler合金薄膜中的残余无序与扩散
介观与纳米尺度物理
2015-12-10 v1
摘要
通过分子束外延生长了Co2FeSi/GaAs(110)和Co2FeSi/GaAs(111)B杂化结构，并利用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射进行了表征。薄膜中含有有序L2_1相和B2相的不均匀分布。通过晶格参数测量控制了平均化学计量比，然而扩散过程导致了原子浓度的不均匀性和界面的退化，影响了长程有序。通过掠入射X射线衍射测量到平均长程有序度为30-60%，即生长的Co2FeSi薄膜高度有序但并非完全有序。利用超晶格反射的暗场TEM图像发现了Co2FeSi中长程有序空间分布的横向不均匀性。
引用
@article{arxiv.1206.2242,
title = {Residual disorder and diffusion in thin Heusler alloy films},
author = {Bernd Jenichen and Jens Herfort and Thomas Hentschel and Andrei Nikulin and Xiang Kong and Achim Trampert and Ivo Zizak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.2242},
year = {2015}
}