晶格匹配 GaAs-Fe3Si 核壳纳米线的真实结构
材料科学
2015-12-10 v2
摘要
通过分子束外延在氧化 Si(111) 衬底上生长了 GaAs 纳米线及 GaAs-Fe3Si 核壳纳米线结构，并利用透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 进行了表征。Ga 液滴在氧化物表面形成，半导体 GaAs 纳米线通过气 - 液 - 固机制从氧化膜孔洞中外延生长为单晶。我们观察到 GaAs 纳米线生长的两个阶段：首先是常规生长，其次是 Ga 供应停止后的残余生长。磁性 Fe3Si 壳层在无 As 腔室中沉积。尽管由小晶粒组成，它们完全覆盖了 GaAs 核。高分辨率 TEM 显微图像描绘了 Fe3Si 壳层中不同取向的晶粒。选区电子衍射和 XRD 进一步证明壳层具有织构而非单晶。观察到壳层的刻面现象，导致壳层厚度不均匀。
引用
@article{arxiv.1405.3143,
title = {Real structure of lattice matched GaAs-Fe3Si core-shell nanowires},
author = {Bernd Jenichen and Maria Hilse and Jens Herfort and Achim Trampert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.3143},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 8 figures