Si上生长薄GaAsN纳米管管道中单光子发射器
光学
2025-11-04 v1 材料科学
量子物理
摘要
III-V纳米线异构结构可作为单光子和纠缠光子的源，且正在为未来量子光子器件上的芯片应用提供技术支持。纳米线的独特几何结构允许将晶格失配组件集成到平面共晷层的限制之外，并创建径向和轴向受限的量子结构。本文报道了利用等离子体辅助分子束真空沉积生长制备的薄GaAs/GaAsN/GaAs核-多壳纳米线，这些纳米线单晶集成在Si (111)衬底上，克服了氮溶解度低和高晶格失配带来的挑战。纳米线具有含2.7% N的10 nm厚GaAsN壳，显著降低GaAs带隙约400 meV。它们具有对称的核-壳结构，具有锋利的边界和无缺陷的锶方相。其优异的结构质量体现在其卓越的光电学性能上，包括来自薄GaAsN壳中量子限制态的显著单光子发射，其二阶自相关函数在零时延处的最低值为0.056。
引用
@article{arxiv.2411.03185,
title = {Single photon emitters in thin GaAsN nanowire tubes grown on Si},
author = {Nadine Denis and Didem Dede and Timur Nurmamytov and Salvatore Cianci and Francesca Santangeli and Marco Felici and Victor Boureau and Antonio Polimeni and Silvia Rubini and Anna Fontcuberta i Morral and Marta De Luca},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.03185},
year = {2025}
}