在工程化衬底上可控生长InAs纳米线
材料科学
2009-06-24 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们展示了在不同工程化衬底上金辅助生长半导体纳米线的过程。研究了两个相关案例：通过分子束外延生长的、覆盖有厚InAs层的GaAs/AlGaAs异质结构，以及通过气相外延在Si(111)上获得的厚InAs缓冲层。利用原子力显微镜和透射电子显微镜分析了衬底和纳米线的形貌与结构特性。我们的结果表明，这对于将III-V族纳米结构集成到硅基电子器件中以及开发新型微机械结构是一个有前景的方向。
引用
@article{arxiv.0903.4146,
title = {Controlled growth of InAs nanowires on engineered substrates},
author = {Stefano Roddaro and Philippe Caroff and Giorgio Biasiol and Francesca Rossi and Claudio Bocchi and Kristian Nilsson and Linus Fröberg and Jakob B. Wagner and Lars Samuelson and Lars-Erik Wernersson and Lucia Sorba},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.4146},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures, suppl.mat