具有超过 $7\times10^5cm^2/Vs$ 电子迁移率的变质InAs/InGaAs量子阱
材料科学
2022-07-12 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
我们研究了通过分子束外延在GaAs上生长的应变弛豫InAlAs缓冲层对变质InAs/InGaAs量子阱的影响。通过X射线衍射和高分辨透射电子显微镜评估了缓冲层、InGaAs势垒和InAs阱中的残余应变。通过仔细选择缓冲层的组分分布与厚度，可生长出嵌入厚度达7nm的InAs量子阱且几乎无应变的InGaAs势垒。这使得低温电子迁移率远高于先前报道的通过GaAs上变质生长获得的样品，并可媲美在InP衬底上生长的样品所达到的数值。
引用
@article{arxiv.2206.11590,
title = {Metamorphic InAs/InGaAs QWs with electron mobilities exceeding $7\times10^5cm^2/Vs$},
author = {A. Benali and P. Rajak and R. Ciancio and J. R. Plaisier and S. Heun and G. Biasiol},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.11590},
year = {2022}
}