InGaAs/InAlAs 非对称耦合量子阱结构中光学跃迁的精确预测
材料科学
2025-09-25 v1
摘要
利用原子级分辨率的 Z 对比度和应变映射，提取了通过金属有机气相外延（MOVPE）在 InP 上生长的 InGaAs/InAlAs 非对称耦合量子阱结构的组分模型。该模型考虑了多个合金界面上的梯度变化。利用该模型计算了结构中的带间吸收。模拟结果在仅几 meV 的误差范围内准确预测了实验吸收光谱，相比使用名义合金组分的方势带模拟，精度提升了近十倍，是中红外发射、调制和探测用外延异质结构光学性质精确与预测性模拟的重要进展。
引用
@article{arxiv.2509.19951,
title = {Accurate prediction of optical transitions in epitaxial InGaAs/InAlAs asymmetric coupled quantum well structures},
author = {Konstantinos Pantzas and Virginie Trinité and Angel Vasanelli and Carlo Sirtori and Grégoire Beaudoin and Isabelle Sagnes and Jean-Luc Reverchon and Gilles Patriarche},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.19951},
year = {2025}
}